技术编号:7036979
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在n型晶体硅基板(2)的与受光面相反一侧的背面,具备n型半导体层(11)以及p型半导体层(10)、在所述n型半导体层(11)上形成了的集电极(4)、以及在所述p型半导体层(10)上形成了的集电极(3),在所述n型晶体硅基板(2)的受光面侧的表面,具备n型半导体区域(8),在所述n型半导体区域(8),在隔着所述n型晶体硅基板(2)与所述n型半导体层(11)相向的n型半导体区域(8b)、和隔着所述n型晶体硅基板(2)与所述p型半导体层(10)相向的n型半导体区...
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