技术编号:7037225
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提供了一种用于制造半导体结构的解决方案。该半导体结构包括使用一组外延生长周期生长在基板上的多个半导体层。在每个外延生长周期期间,生长具有拉伸应力或压缩应力中的一个的第一半导体层,然后直接在第一半导体层上生长具有拉伸应力或压缩应力中的另一个的第二半导体层。一组生长条件中的一个或多个、一层或两层的厚度、和/或层之间的晶格失配,可以被配置成在层之间的界面的最小百分比内产生目标级别的压缩和/或拉伸应力。专利说明用于减少应力半导体化合物中的穿透位错的外延技术[000...
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