技术编号:7037342
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种高压晶体管器件包括具有第一类型电传导率的源极区(2)的半导体衬底(1)、包括与第一类型传导率相反的第二类型电传导率的沟道区(4)的体区(3)、第一类型传导率的漂移区(5)以及第一类型传导率的漏极区(6),该漏极区(6)以带状结构自沟道区(4)纵向延伸至漏极区(6)并且由隔离区(9)横向地限制。漂移区(5)包括第一类型传导率的掺杂并且包括具有第二类型传导率的净掺杂的附加区(8)以调节漂移区(5)的电特性。漂移区深度和附加区深度不超过隔离区(9)的最大深度...
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