技术编号：7037460
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。pnp型硅锗异质结双极晶体管(HBT)(300)通过外延生长发射极以包括单晶锗区(316)和上覆的单晶硅区(318)，降低晶体管的p+发射极(310)中的p-型掺杂物原子向外扩散到晶体管的基极(150)的低掺杂区中的速率。专利说明具有浅层向外扩散P+发射极区的锗化硅异质结双极晶体管 [0001]本申请涉及具有浅层向外扩散P+发射极区的锗化硅异质结双极晶体管(HBT)。 背景技术 [0002]双极晶体管具有发射极、连接到发射极的基极和连接到基极的集...
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