技术编号：7037545
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明描述了包括多层电荷储存层的半导体存储设备和形成该半导体存储设备的方法的实施例。一般，设备包括由覆盖在衬底上的表面的半导体材料形成的沟道，该沟道连接存储设备的源极和漏极；覆盖沟道的隧道氧化物层；以及多层电荷储存层，其包括在隧道氧化物层上的富氧、第一氮氧化物层和在第一氮氧化物层上的贫氧、第二氮氧化物层，其中第一氮氧化物层的化学计量组合物导致其实质上没有陷阱，第二氮氧化物层的化学计量组合物导致其陷阱密集。在一个实施例中，设备包括包含具有邻接沟道的多个表面的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。