技术编号：7037814
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本文描述含锰膜以及用于提供含锰膜的方法。将含锰膜掺杂Co、Mn、Ru、Ta、Al、Mg、Cr、Nb、Ti或V允许含锰膜的铜阻挡性质增强。本文还描述提供具有包括硅酸锰的第一层和包括含锰膜的第二层的膜的方法。专利说明 [0001] 本发明的实施方式大体涉及半导体装置中的阻挡层和形成此类阻挡层的方法。更 具体地，本发明的实施方式涉及包括锰、氮化锰（MnNx)、硅酸锰和选定的掺杂剂的膜。 背景技术 [0002] 微电子装置（诸如半导体或集成电路）能够包括...
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