技术编号:7038138
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及一种双位氮化硅只读存储器制造方法及根据该双位氮化硅只读存储制造方法制成的双位氮化硅只读存储器。背景技术氮化娃只读存储器NROM(nitride based read-only memory)技术由于能够提供更高的存储密度,快速的低电压编程和低的费用而成为下一代非易失存储器的有力竞争者。NROM具有与SONOS器件同样简单的结构,并且NROM的制造需要更少的掩模版数量,并且可以和标准的CMOS制作流程兼容。NR...
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