技术编号:7038817
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种用于在基底上沉积第III族氮化物半导体膜的方法,包括提供蓝宝石基底;将基底放置在真空室中;通过蚀刻修整基底的表面并提供经修整的表面;保持基底与加热器的基底面对表面分离预定距离;在保持基底与加热器的基底面对表面分离的同时,通过使用加热器将基底加热至某一温度;在保持基底与加热器的基底面对表面分离的同时,通过物理气相沉积法在基底的经修整的表面上沉积第III族氮化物半导体膜;以及在基底的经修整的表面上形成具有N面极性的外延第III族氮化物半导体膜。...
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