技术编号:7039041
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。通过将重掺杂下沉区(216)形成为位于已经形成在半导体本体(210)中的多个紧密间隔的沟槽隔离结构(230)之间而充分减小重掺杂下沉区(216)的宽度。在驱进期间,紧密间隔的沟槽隔离结构(230)显著地限制了横向扩散。专利说明具有减小宽度的下沉区 [0001] 本发明涉及下沉区(sinker),并且更具体地涉及具有减小宽度的下沉区。 背景技术 [0002] 下沉区是重掺杂区,例如η+区,其从半导体本体的顶表面诸如外延层向下延伸相 当大距离进入半导...
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