技术编号:7039163
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中,R1分别独立地表示碳数1~8的烷基。n表示0~3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1~8的烷基。专利说明纯化层形成用组合物、带纯化层的半导体基板、带纯化层的 半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件 的制造方法及太阳能电池 [0001] 本发明设及纯化层形成用组合物、带纯化层的半导...
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