技术编号：7039252
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及浅沟道隔离件和其形成方法。背景技术在集成电路中形成有用于隔离器件的浅沟道隔离(STI)区域。在传统的STI区域形成工艺中，首先在半导体衬底中形成开口。将二氧化硅衬里形成在这些开口中，之后进行间隙填充工艺，其中，开口的剩余部分填充有介电材料。然后执行化学机械抛光(CMP)来去除多余的介电材料部分。介电材料和二氧化硅衬里残留在开口中的部分由此形成了 STI区域。高密度等离子体(HDP)化学汽相沉积(CVD)原来通常被用于在S...
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