钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳 ...的制作方法技术资料下载

技术编号:7039360

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本发明提供包含通式(I)M(OR1)m所示的化合物、填料、液状介质和树脂的钝化层形成用组合物。通式(I)中,M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素。R1分别独立地表示碳数1~8的烷基或碳数6~14的芳基。m表示1~5的整数。专利说明纯化层形成用组合物、带纯化层的半导体基板、带纯化层的 半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件 的制造方法及太阳能电池 [0001] 本发明设及纯化层形成用组合物、带纯化层的半导体基板、带纯化层...
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