技术编号:7039380
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例提供在紫外线(UV)处理腔室内固化超低k介电薄膜的方法。在一个实施例中,该方法包括在沉积腔室中在基板上沉积超低k介电层,以及在UV处理腔室中使该沉积的超低k介电层进行UV固化工艺。该方法包括通过使氧气和净化气体以约150000至约1100的流动速率流入该UV处理腔室来稳定该UV处理腔室。在该掺氧净化气体流动时,使该基板曝露于UV辐射,以固化该沉积的超低k介电层。本发明掺氧净化固化工艺提供了替代路径来建立超低k介电材料的硅-氧网络,从而加速交联...
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