技术编号：7039604
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种低噪声GaN?HEMT器件的制备方法，包括，1）生长含组分渐变背势垒的AlGaN/GaN异质结材料；2）制作介质场板；3）制作欧姆接触；4）形成器件的隔离区域；5）通过正胶剥离的方法形成TaN基的Γ型栅；6）利用等离子沉积方法，在样品表面沉积Si3N4/SiO2/Si3N4多层表面钝化介质；7）通过等离子体刻蚀方法去除源漏以及栅电极上的介质材料，形成测试窗口。优点1）结构和功率GaN?HEMT兼容，有利于工艺集成；2）有效提高器件耐压，防止频率...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。