技术编号:7039619
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法,其LED外延结构,从下向上的顺序依次包括衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型InAlGaN电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层,本发明中复合结构的P型InyAlxGa1-x-yN电子阻挡层,一是通过In组分的加入,调节InyAlxGa1-x-yN晶格常数,可以达到与P型GaN层以及多量子阱层之间的晶格匹配,减少位错密度并提高晶体质量,获...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。