技术编号：7039628
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供，其具体生长方法包括以下步骤（1）衬底经高温氢化后，先生长优化的AlxGa1-xN（0.2＜x＜0.8）缓冲层，Al组分在10%-60%之间，生长时间在1-6min，生长温度在500-580℃之间，压力在100-600Torr之间，Ⅴ/Ⅲ比为10-500；(2)采取超晶格进行生长优化的nAlGaN层(3)优化的AlxGa1-xN（0.2＜x＜0.8）缓冲层与nAlGaN层超晶格结构中的Al掺杂量可以进行搭配处理，调节生长过程中产生的应力，减少大尺...
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