技术编号:7039697
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种深亚微米U型栅槽的制作方法,该方法包括在半导体外延材料表面生长栅介质;在栅介质上匀胶;对电子束光刻胶进行曝光及显影;对电子束光刻胶进行回流烘胶,固化胶截面形成刻蚀窗口;采用ICP刻蚀工艺对栅介质进行刻蚀;以及去胶形成U型栅槽。利用本发明,能够得到栅角圆滑的U型栅槽,有效降低了器件源漏间,尤其是栅漏间的峰值电场,提高了器件的击穿电压,减少了器件漏电,提高了器件效率。专利说明一种深亚微米U型栅槽的制作方法[0001]本发明涉及一种深亚微米U型栅...
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