技术编号:7040040
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种,太阳能电池纳米发射极的制备方法包括下列步骤1)在洁净的黑硅的表面进行离子注入,其中,离子的注入能量是5KeV~40KeV,离子的注入剂量是5×1014~1×1016离子/cm2;2)将经过离子注入的黑硅在氧气中进行退火处理。本发明的太阳能电池纳米发射极的制备方法简化了太阳能电池的制备工艺流程,并且无需去磷硅玻璃和去边等工艺,提高了生产效率和成本。专利说明[0001]本发明涉及太阳能电池制备领域,具体涉及。背景技术[0002]随着人们对清洁...
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