技术编号:7040180
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种非易失性半导体存储器件、非易失性半导体存储器件的制造方法以及制造装置。非易失性半导体存储器件半导体层;设置在所述半导体层上的第1绝缘膜;设置在所述第1绝缘膜上的浮置栅极层;设置在所述浮置栅极层上的第2绝缘膜;以及设置在所述第2绝缘膜上的栅电极,所述第1绝缘膜包含硅、氧、碳,从所述半导体层一侧朝向所述浮置栅极层一侧的方向上的所述碳的浓度在所述半导体层与所述浮置栅极层之间具有最大值,所述最大值位于与所述浮置栅极层一侧相比而更靠所述半导体层一侧的位...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。