技术编号：7040975
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。属于半导体激光器领域，解决现有技术存在的工艺精度低、可靠性差以及性能一致性差的问题。本发明的结构包括从下至上排列的N面电极、衬底层、N型DBR层、有源层、介质薄膜电流限制层、P型DBR层和P面电极；本发明的方法为在衬底层上依次生长N型DBR层和有源层，将N型DBR层和有源层刻蚀成圆柱形台面，并暴露出衬底层，在圆柱形台面的表面以及衬底层的表面生长介质薄膜电流限制层，在质薄膜电流限制层刻蚀出电流限制窗口并暴露出有源层；在介质薄膜电流限制层的上表面及有源层的上表...
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