技术编号:7041320
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的,包括采用高浓度碱溶液对硅片进行抛光处理,在硅片的正面和背面均形成抛光结构;在硅片的背面形成一层掩膜;采用低浓度碱溶液对硅片进行制绒,在掩膜的保护下,只在硅片的正面形成金字塔绒面结构;对硅片进行扩散前清洗,去除掩膜,保留硅片背面的抛光结构;对硅片表面进行磷扩散形成N+层;以及电极的制备。本发明的方法可以简便有效地制备出背面抛光结构单晶硅太阳能电池,并进一步提高太阳能电池的光电转换效率。专利说明[0001]本发明涉及半导体,特别涉及一种。背景技术[0...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。