技术编号:7041387
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。所述功率器件结终端结构包括场限环,其间隔设置于最外侧主结的外侧;电荷补偿区,其通过掺杂间隔形成于外延层,所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧的冶金结面,其中所述电荷补偿区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。这种功率器件结终端结构耐压能力好、可靠性高。专利说明[0001]本发明涉及一种功率器件结终端结构,还涉及一种制造这种功率器件结终端结构的制造方法。背景技术[0002]相对于以硅为代表的第一代半导体和以砷化镓...
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