技术编号:7041465
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、N型硅太阳能电池及其制作方法。该制作方法包括S1、在沉积有减反射膜的硅片衬底背面的预定位置上开槽,以形成磷扩散槽区;以及S2、在具有磷扩散槽区的所述硅片衬底背面上进行磷扩散,以使磷扩散槽区内形成重掺杂,从而形成所述选择性背场。本发明不需要额外制作磷扩散阻挡层,仅利用沉积形成的减反射膜,就可以在制作选择性背场的高温磷扩散时阻止磷源向不需要重掺杂的区域扩散,仅一次高温过程就可在N型硅片衬底的背面形成掺杂浓...
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