技术编号：7041562
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体激光器的腔面镀膜领域，具体涉及一种。背景技术半导体激光器由于体积小、重量轻、波长范围宽等优点，在工业、军事、医学等领域得到了广泛的应用，稳定性和可靠性是使用激光器的前提条件。在半导体激光器的腔面处，光功率密度较高，缺陷密度较大，位错等缺陷将产生表面光吸收和非辐射复合，光吸收和非辐射复合会随着温度的升高而加剧，形成一个正反馈过程，从而导致光学灾变的发生，在大功率激光器上显得尤为突出。为了保护激光器的腔面，通常会对激光器腔面进行镀膜，把腔面从空...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。