技术编号:7041718
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的,属于太阳电池。电池结构顺序为金属背电极(1)、半金属层(2)、p型CdTe层(3)、n型CdS层(4)、透明导电薄膜(5)、金属栅格电极(6)和低阻CdSIn层7。用电化学沉积来制备CdTe太阳能电池,通过选择沉积电位和后续的热蒸发沉积透明导电层,在镍箔基底上分别制得欧姆结特性的半金属层、梯度富碲的p型CdTe层、n型CdS层和铟掺杂的氧化锡透明导电层,用离子溅射方法在透明导电层表面制备出金属栅格电极。本发明原材料易得,工艺简单,容易操作,耗时短...
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