技术编号：7041783
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，包括以下步骤步骤1在硅薄膜太阳能电池的上表面生长一层介质膜；步骤2在介质膜上生长一层金属纳米颗粒；步骤3在硅薄膜太阳能电池下表面刻蚀出二维纳米柱硅光栅结构；步骤4在二维纳米柱硅光栅结构上生长一层背电极；步骤5在背电极上生长一层背反射器层，完成制备。本发明是利用前表面金属颗粒和背面光栅结构对入射光不同的作用范围，展宽对入射光的作用范围，本发明降低了光的反射率，提高了薄膜太阳能电池对入射光的吸收。专利说明[0001]本发明涉及薄膜太阳能电池表面陷光结构，...
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