技术编号：7042040
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管，其包括绝缘衬底、半导体有源区、金属源区、金属漏区、栅绝缘层、栅电极和源漏区附近的调制掺杂区；栅极电压可在半导体有源区表面诱导出导电沟道，此导电沟道将连接金属源区和金属漏区。金属源区与沟道区之间的区域以及金属漏区与沟道区之间的区域均包含可调节空穴和电子势垒高度的调制掺杂区,该调制掺杂区在沟道区的不同深度含有导电类型互补的杂质掺杂。本发明利用源漏区附近的调制掺杂区对电子和空穴势垒高度的调制作用,可以实现在正负栅极电...
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