技术编号:7042186
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。金属氧化物半导体薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层以及金属氧化物半导体层。栅极绝缘层位于栅极与金属氧化物半导体层之间。栅极绝缘层包括氮氧化硅层和氧化硅层。氮氧化硅层位于栅极与氧化硅层之间。氧化硅层位于氮氧化硅层与金属氧化物半导体层之间,且氧化硅层具有与氮氧化硅层接触的第一表面以及与金属氧化物半导体层接触的第二表面。氧化硅层靠近第二表面的氧原子密度大于氧化硅层靠近第一表面的氧原子密度。金属氧化物半导体薄膜晶体管,在减少工艺时间的同时,有效的解决了因成膜应力过大而...
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