技术编号:7042326
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了嵌入的基于SONOS的存储单元。描述了包括嵌入的基于SONOS的非易失性存储(NVM)晶体管和MOS晶体管的多个存储单元及其形成方法。通常,该方法包括在衬底上形成电介质叠层,电介质叠层包含衬底上的隧道电介质,和在隧道电介质上的电荷捕获层;图案化电介质叠层,以在衬底的第一区域中形成存储器件的NVM晶体管的栅极叠层,同时并发地从衬底的第二区域去除电介质叠层;以及进行基准CMOS工艺流程的栅极氧化处理,以热生长覆盖第二区域中的衬底的MOS晶体管的栅极...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。