技术编号:7042383
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明为,包括形成一种填充有可流动介电层的浅沟槽隔离(STI)结构,包括实施注入,以在可流动介电层的上部生成通道。该通道使热退火中的氧源能够在将可流动介电层的SiONH网状物转变为SiOH和SiO的网状物的热退火期间到达STI结构的底部附近的可流动介电层。该通道还有助于在用于将SiOH和SiO的网状物转变为SiO2的另一热退火期间,提供用于生成的副产物离开的路径。专利说明 [0001] 本发明涉及一种形成半导体结构的方法,具体而言,涉及一种形成沟槽结...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。