技术编号:7042414
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于信息存储,具体涉及一种pn异质结构的忆阻器及其制备方法,包括上电极和下电极,在上、下电极之间插入p型氧化物(如CuAlO2,NiO)和n型氧化物(如ZnO,TiO2)构成的pn异质结构。在下电极连续施加正偏压,耗尽层中的氧离子会逐渐从n型区向p型区一侧迁移;导致p型区一侧阳离子空位浓度和n型区一侧氧空位浓度同时增加,使pn结的耗尽层宽度逐渐的减小,从而使器件电阻逐渐的减小,实现忆阻行为。本发明利用pn结物性易于调制的特点,对忆阻性能的调控,增加了...
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