技术编号:7042923
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有冷却材料的功率半导体设备。半导体设备包括布线结构,该布线结构从至少一侧邻接半导体体身并且具有至少一个导电连接。半导体设备此外在布线结构中具有冷却材料,该冷却材料的特征是在150℃至400℃之间的温度Tc时在吸收能量的情况下发生结构变化。专利说明具有冷却材料的功率半导体设备[0001]本发明涉及一种具有冷却材料的功率半导体设备。背景技术[0002]在例如绝缘栅双极晶体管(IGBT)、二极管、晶闸管和功率场效应晶体管(功率FET)的功率半导体设备中,可能在...
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