技术编号:7043079
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及应力记忆工艺,公开一种方法,其包括提供一种包括设置在半导体区域上方的栅极结构的半导体结构。进行离子注入制程,其非晶化邻近该栅极结构的该半导体区域的第一部分及邻近该栅极结构的该半导体区域的第二部分,以使第一非晶区域及第二非晶区域在邻近该栅极结构处形成。进行原子层沉积制程,其在该半导体结构上方沉积具有内部应力的材料层,且选定进行该原子层沉积制程的至少一部分的温度及该原子层沉积制程的至少一部分的持续时间,以使该第一非晶区域及该第二非晶区域在该原子层沉积...
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