技术编号：7043080
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，用于硅基薄膜电池或铜铟镓硒CIGS电池的制备过程，均包括有在衬底上镀第一加工层、刻划第一沟槽、镀第二加工层、刻划第二沟槽、镀第三加工层和刻划第三沟槽步骤，其特征在于刻划时使A区的各节平均宽度a大于总平均宽度d，B区的各节平均宽度b小于总平均宽度d，C区的各节平均宽度c等于总平均宽度d。本发明将目前通行的均一刻划方式改为补偿修正刻划的方式，将边缘子电池宽度有选择性地适当加宽，而将电池区域特性好的子电池宽度略微变窄，在不影响电池板整体膜层有效开口...
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