技术编号:7043649
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。集成电路器件包括第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层、位于第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层上方的第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层、位于第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层上方的栅极电介质以及位于栅极电介质上方的栅电极。阳电极和阴电极形成在栅电极的相对两侧上。阳电极电连接至栅电极。阳电极、阴电极和栅电极形成整流器的部分。专利说明低泄漏整流器结构[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求下列美国临时专利申请的优先权2013年3月14日提交的第61/785,009号申请,且其标题为“AlGaN/GaN整流器...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。