技术编号：7043725
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路及其制造，具体涉及一种。背景技术所谓的“阻变存储器(RRAM) ”，是一种利用电阻变化实现高速度(< 5ns)、低操作电压(< IV)工作，并具有高存储密度、易于集成等优点的新型非挥发性存储器。RRAM器件一般具有电极-绝缘体-电极的结构，即在两层电极之间加入一层具有阻变特性的介质薄膜材料，这些阻变材料一般是过渡金属氧化物，常见的有NiO，TiO2, HfO2, ZrO2, W03，Ta2O5等等。RRAM器件的工作方式...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。