技术编号:7043822
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,其LED外延结构从下向上的顺序依次包括蓝宝石衬底、低温成核层、高温GaN缓冲层、高温u-GaN层、复合n型GaN层、浅量子阱结构SW、低掺杂n-GaN静电中和层EN、多量子阱发光层结构MQW、低温p型GaN层、p型AlGaN层、高温p型GaN层、p型接触层,在n-GaN层1/3厚度处插入一层n-AlGaN层;2)在浅量子阱层和发光量子阱层中间插入一层特定厚度及浓度的n-GaN层充当EN静电中和层;3)低温p-GaN层和高温p-GaN层中间插入一...
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