技术编号:7043831
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种提高LED发光亮度的方法,其LED外延片结构从下向上的顺序依次为蓝宝石衬底、低温成核层、高温GaN缓冲层、高温非掺杂GaN缓冲层、复合n型GaN层、复合浅量子阱结构SW、多量子阱发光层结构MQW、低温p型GaN层、p型AlGaN层、高温p型GaN层、p型GaN接触层,;2)控制V型缺陷密度及深度的外延结构复合浅量子阱分为前后两个结构,前浅量子阱SW采用窄阱宽垒结构,生长2-6周期;后浅量子阱SW采用窄阱窄垒结构,生长5-20周期;发光层量子阱...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。