技术编号:7043832
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种提高Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED芯片抗静电能力的外延生长方法,其LED外延结构包括GaN非掺杂层、N型掺杂GaN层、n型AlGaN/GaN复合插入层、高温P型GaN层、P型接触层,其n型AlGaN/GaN复合插入层,具体包括以下步骤生长一层Al组分逐渐升高n型掺杂AlGaN层;生长Al组分不变的n型掺杂AlGaN层;生长一层Al组分逐渐降低的n型掺杂AlGaN层,温度生高至1000-1200℃后生长GaN层,本发明通过在N型GaN层与浅阱层之间...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。