技术编号:7043866
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,包括以下步骤提供一个外延片,所述外延片上形成一种可以被粗化的阻挡层,湿法刻蚀所述的可被粗化的阻挡层,在所述阻挡层表面形成粗糙面,通过干法刻蚀所述外延片,从而使得外延表面形成粗糙面,在所述的粗化外延片表面形成图形化光阻,形成N型氮化镓平台,在具有粗化的外延片表面形成导电层,并制造金属电极。本发明在ITO蚀刻液或BOE从而使得阻挡层表面形成粗糙面,再通过ICP刻蚀的方法,将阻挡层表面粗糙的图形转移到外延片表面,从而制作出表面粗化的GaN基外延片,本...
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