技术编号:7044159
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种多晶硅电阻器结构制造方法以及多晶硅电阻器结构。在绝缘层形成控制栅极层和氮化硅层,刻蚀氮化硅层以在氮化硅层中形成凹槽;进行刻蚀从而在绝缘层中形成与凹槽的位置相对应的绝缘层凹槽,并在绝缘层凹槽两侧的剩余控制栅极上形成第一隔离物侧壁;在剩余的氮化硅层、第一隔离物侧壁以及绝缘层凹槽上形成第二隔离物层;对第二隔离物层进行刻蚀,仅留下绝缘层凹槽侧壁上的第二隔离物层以形成第二隔离物侧壁;在剩余的氮化硅层、第一隔离物侧壁、第二隔离物侧壁及绝缘层凹槽上形成第一多晶硅层;...
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