技术编号：7044472
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出一种新的外延生长方法，能够有效的提升LED芯片的ESD。本发明在生长n区和p区的过程中，采用了掺杂超晶格结构周期性插入结构。由于超晶格结构能够改变界面电子和空穴的浓度，电子和空穴在电流作用下运动过程中，能够通过超晶格界面将电流有效地扩展；扩展后的分散电流较之前更加均匀分布，然后经过下一个超晶格界面后再重新分布扩充。在电子和空穴注入有源区之前，经过多次的电流扩展，能够极大地提升自身的抗静电能力；同时，周期性垂直穿插超晶格使得外延在生长的过程中位错和...
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