技术编号:7044654
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出了一种,在形成第一道侧墙之后,栅介质层会如背景技术所提及的原因导致在不同区域的厚度有差别,采用化学酸液全部去除栅极两侧的栅介质层,然后使用原位水汽生长工艺在半导体衬底表面重新形成厚度一致的栅介质层,由于原位水汽生长工艺形成的栅介质层在不同密度区域的厚度也一致,能避免不同厚度栅介质层对后续轻掺杂漏工艺注入的影响,进而能够保证形成的器件的电性均匀性。专利说明[0001]本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种。背景技术[0002]当前半导体制造工业中,...
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