技术编号:7044660
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,属于半导体器件处理方法。本发明与现有外延片生长方法的最大区别在于,在生长多量子阱发光层时,减薄势垒层的厚度。主要采用三种处理方式中的一项或一项以上结合使用实现1)减少势垒层的生长时间;2)在生长势垒层时降低Ⅲ族源的流量;3)在生长势垒层时加大Ⅴ族源的流量。本发明可降低在此外延片上制作的LED芯片的正向工作电压,降低能耗和光衰、延长其寿命,并改善其I-V特性,提高内量子效率;同时还可节省部分原材料,降低生成成本,对产业化起到很好的参考价值。专利...
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