技术编号:7044694
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。制造半导体设备的方法,包括通过执行预定次数的周期,在基材上形成含有硅、氧和碳的薄膜,所述周期包括将含有硅、碳和卤族元素并具有Si-C键的前体气体和第一催化气体供应给所述基材;以及将氧化气体和第二催化气体供应给所述基材。专利说明制造半导体设备的方法和基材处理装置[0001] 相关申请的夺叉引用[0002] 本申请基于并要求2013年3月19日提交的日本专利申请号2013-057100的优先 权,所述申请在此通过引用以其全文并入。 [0003] 本公开涉...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。