技术编号：7044754
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，包括在衬底上依次生长下接触层、下量子阱层、中间接触层、上量子阱层和上接触层；制作正面光栅，并制作上电极；刻蚀，形成隔离槽和上台面；刻蚀每个隔离槽一侧的侧壁，形成中台面，刻蚀每个隔离槽另一侧的侧壁，形成下台面；制作中间电极，制作下电极，形成基片；生长一层钝化层；生长引出金属层，把中间电极、下电极和上电极引出到上台面；生长二次钝化层，在二次钝化层上腐蚀出引线孔，并在引线孔中生长加厚金属，形成样片；把样片分割成面阵的管芯，并与读出电路进行互连；在衬底的背面...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。