技术编号：7044765
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种基于GaN基异质结构的二极管，包括一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接触阳极，其制作在异质结构势垒层上，位置在紧挨着台面的一侧；一欧姆接触阴极，其制作在异质结构势垒层上，且远离P型盖帽层的另一侧的台面上；一肖特基阳极，其制作在P型盖帽层和欧姆接触阳极上；一第一电极，其制作在肖特基接触上；一第二电极，其制作在欧姆...
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