技术编号:7044818
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,尤其涉及以一制作方法以提供出一种多沟渠终端结构,以提供半导体元件(例如萧基二极管装置)有较高的反向耐电压值。背景技术萧基二极管(Schottky Diode)为以电子作为载子的单极性元件,其特性为速度快,且于施加较低的正向偏压电压(Forward Bias Voltage ;Vf)时,便可有较大的顺向电流与较短的反向回复时间(Reverse Recovery Time ;tRR)。但若于萧基二极管持续施加增加的反向偏压时,则会有较大的漏电流...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。