技术编号：7045169
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种应变垂直MOS器件的制造方法，在衬底上完成图形转移，再形成金属掩膜，通过进行刻蚀形成硅柱，减小硅柱直径，制备硅纳米线，并生长栅氧化层；淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子，形成环状栅极；在栅极外淀积应力氮化硅薄膜，形成应力衬垫层；进行离子注入，形成漏端n-掺杂区；对衬底的外围环状区域进行离子注入，形成漏端n+掺杂区；对硅纳米线上部进行P+离子注入，形成Halo掺杂结构，进行n型离子注入形成源端；淀积金属和合金。本发明提高纳米结点集成电路中器件的栅控能力，抑制...
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