自旋场效应逻辑装置制造方法技术资料下载

技术编号:7045226

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本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置,所述逻辑装置包括第一沟道,包括磁材料,第一沟道被构造为选择性地传输自旋极化的电子;源极,在第一沟道上;第一栅电极,在第一沟道上;第一漏极,被构造为输出从源极传输的电子;输出电极,被构造为输出从源极传输的电子;第二沟道,在第一沟道上,第一栅电极和第一漏极在第二沟道上,在第二沟道上的第一栅电极被构造为控制第二沟道的磁化方向;第三沟道,在第一沟道上;第二栅电极,在第三沟道上,第二栅电极被构造为控制第三沟道的磁化方向;第二漏极,...
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